○本報訊 記者 王亞嬌 特約記者 聶燕民 張立 通訊員 葉小艷 近日，第二屆粵東西北知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽結(jié)果公布，河源市眾拓光電科技有限公司（下稱眾拓光電）“面向大功率電力電源的GaN單片集成整流芯片”項目獲評發(fā)明專利組金獎和最具投資價值獎。

眾拓光電是一家擁有國際領(lǐng)先的第三代化合物半導體產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的國家高新技術(shù)企業(yè)。近年來，該公司不斷加大人才、資金投入，在GaN大功率LED芯片、GaN功率器件領(lǐng)域，從材料生長到器件制作及集成應(yīng)用都取得了相應(yīng)的成果，相關(guān)技術(shù)成果獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎、廣東省技術(shù)發(fā)明一等獎、大灣區(qū)高價值專利大賽金獎等省部級以上科技獎勵10項，具有強大的行業(yè)競爭優(yōu)勢。

“公司長期致力于第三代半導體材料與器件的研究，擁有30多位頂尖人才組成的高水平團隊，開創(chuàng)了完全獨立自主的全鏈條硅基氮化鎵（GaN on Si）、氮化鋁（AlN）為代表的第三代半導體材料與芯片技術(shù)，已形成完整的核心專利池，已申請專利150余件。”眾拓光電副總經(jīng)理陳小雪說，去年在設(shè)備上整體研發(fā)投入超過了1500萬元，今后還將持續(xù)加大研發(fā)投入，提升企業(yè)核心競爭力，以更具競爭力的IDM模式和高品質(zhì)專業(yè)化服務(wù)，打造有中國自主知識產(chǎn)權(quán)的中國芯，鑄就第三代半導體芯片國際領(lǐng)導者。

據(jù)悉，眾拓光電成立以來，已建成國家博士后科研工作站分站、廣東省博士工作站、廣東省院士工作站、廣東省高速寬帶通信芯片設(shè)計與制造工程技術(shù)研究中心、河源市第三代半導體材料與器件技術(shù)研究中心、河源市半導體材料與器件企業(yè)重點實驗室等科研創(chuàng)新平臺。目前，該公司量產(chǎn)的Si基GaN大功率LED芯片，已廣泛應(yīng)用于戶外照明、汽車照明、超高清電視背光源以及國內(nèi)外重大照明工程，可替代國外同類進口產(chǎn)品，其最新研發(fā)的可應(yīng)用于電力電源、新能源汽車等領(lǐng)域的核心產(chǎn)品高性能氮化鎵整流芯片，已與多家國內(nèi)知名企業(yè)達成推廣合作，累計產(chǎn)生500萬元銷售收入。

陳小雪表示，公司研發(fā)的高性能氮化鎵整流芯片在技術(shù)上設(shè)計了Ⅲ-V族半導體新型異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)，GaN整流芯片能量轉(zhuǎn)化效率提升超20%。通過GaN整流器制作新工藝，提升了芯片性能及可靠性，實現(xiàn)高性能器件產(chǎn)業(yè)化，解決了整流芯片效率低、可靠性差的難題。